Acest an – 2019 – vine în viața academicianului Simaşchevici cu o semnificație aparte. Distinsul savant atinge al nouălea deceniu din viaţă – o viaţă plină, împlinită şi trăită cu har. În plus, cercetătorul neobosit numără 65 de ani de activitate pedagogică și ştiinţifică continuă, prolifică şi rezultativă. Sute de articole publicate, o sumă de brevete, zeci de discipoli – sunt doar o parte din ceea ce ar putea servi drept un exemplu al vieţii de savant. Pedagog neobosit, cercetător de marcă, Profesorul Simaşchevici este un model, un mod de a fi, de a trăi cu intensitate şi utilitate clipele. O buna parte din comunitatea ştiinţifică din domeniul Fizicii Semiconductorilor îi sunt tributari, fie direct în calitate de studenţi, masteranzi sau doctoranzi, fie prin confruntarea cu rezultatele ştiinţifice valoroase.
Activitatea științifică a dlui Simaşchevici a început în 1954 sub conducerea prof. M.V. Kot. Unul dintre punctele forte ale lui M.V. Kot a fost intuiția sa fizică, care îi permite să identifice liniile principale în cercetarea problemelor fizice. Colaboratorii și studenții catedrei „Electrofizica” a Universității de Stat din Chișinău, primii în Republica Moldova, au început să lucreze în direcția preparării și cercetării straturilor subțiri ale compușilor semiconductori binari II-VI și III-V. Aceste lucrări se numărau printre primele în acest domeniu și în URSS.
Rezultatele obţinute au fost publicate în Analele științifice ale Universității, precum și în revistele centrale ale Uniunii Sovietice, care se traduceau în engleză, au devenit cunoscute comunității științifice internaționale. De exemplu, lucrarea Кот М.В, Симашкевич А. В., Тырзиу В.Г.,. ФТТ, 1962, 4, 1635 a avut mai mult de 25 de citări. Cu toate acestea, câțiva ani mai târziu acest procedeu de depunere a peliculelor subțiri a apărut în publicaţiile ştiinţifice sub denumirea "metoda Gunter" sau "metoda de trei temperaturi".
În 1963, la Chișinău, a avut loc o Conferința Internațională în domeniul fizicii semiconductorilor, care a reunit personalități mondiale, de exemplu, A. Pankov, F.L.J. Sangster, O. Madelung, D.N. Nasledov, A.R. Regel, N.A. Goryunova şi alţii. Atmosfera şi rezultatele conferinţei au influenţat pozitiv intensificarea lucrărilor în acest domeniu. Treptat, Dl Simaşchevici, împreună cu doctoranzii săi, a câștigat experiență, a stăpânit diferite metode de depunere a peliculelor subțiri semiconductoare prin evaporarea termică, epitaxie gazoasă și lichidă. Depunerea straturilor subţiri pe suprafața cristalelor semiconductoare a permis obţinerea diferitor tipuri de hetero-structuri. Studiul proprietăţilor heterostructuturilor a permis cooperarea fructuoasă cu Institutul Fizico-Tehnic din St. Petersburg, inclusiv cu acad. J. Alferov, soldată cu importante rezultate și beneficii științifice. Primele referate în domeniul investigaţiilor heterostructuturilor au fost prezentate la conferinţa din Riga în 1964. Aceste rezultate au contribuit la formarea şcolii ştiinţifice noi, conduse de acad, A.V. Simaşchevici, în domeniul tehnologiei de obţinere a heterojoncțiunilor A2B6/A2B6, A2B6/A3B5, A2B6/TCO, precum și a impulsionat studiul acestor structuri şi elaborarea dispozitivelor concrete. Pentru prima dată s-a obținut efectul electroluminescenței cauzate de injecţia purtătorilor minoritari în materialele A2B6. Prin acest efect s-a dovedit, că este posibilă injectarea purtătorilor de sarcină în componenta heterojoncțiunii cu banda interzisă largă. Rezultatele fructuoase ale colectivului format în jurul tânărului savant au permis organizarea în 1974 la Chișinău a primei Conferinţe din URSS cu privire la toate aspectele legate de heterojoncțiuni. În anii 1970-1990 au fost investigate proprietățile electrice și fotoelectrice ale structurilor obținute, determinate mecanismele de transport ai purtătorilor de sarcină şi propuse diagramele energetice ale heterojoncțiunilor studiate. Aceste rezultate au fost publicate în pesa periodică științifică, prezentate la conferințe internaționale și generalizate în 3 monografii: Алесковский В.Б., Калинкин И.П., Симашкевич А.В, Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI Ленинград, Изд. ЛГУ, 1978, 310 стр.; Симашкевич А.В, Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений AIIBVI, Кишинев, Штиинца, 1980, 155 стр., Недеогло Д.Д. Симашкевич А.В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка, Кишинев, Штиинца,1984,149 стр.
Dar cum se considera în acele timpuri, activității științifice îi aparținea a doua jumătate a zilei, pe când în prima jumătate profesorul trebuia să se ocupe de lucrul pedagogic, Desigur, această divizare a activităților cadrelor pedagogice este pur convențională, însă cursurile de lecții, lucrările practice și de laborator puteau fi ușor controlate și evaluate, Profesorul A.Simașchevici a elaborat în premieră și a ținut timp de 25 de ani un șir de cursuri speciale în limba română, care au stat la baza editării a unor materiale didactice: Simașchevici A.V. Gașin P.A., Focșa A.Ia. Fenomene de contact în semiconductori (curs de lectii) Chisinau, ed. USM,1993, 114p., Simașchevici A, Gorceac L., Șerban D., Conversia fotovoltaica a energiei solare, CE USM, Chisinau, 2002, 249p.,
Conversia fotovoltaică a energiei solare este una dintre principalele căi de rezolvare a problemei furnizării energiei „verzi”. Academicianul A.V.Simaşchevici este autorul ideii utilizării structurilor de tip semiconductor/izolator/semiconductor/ (SIS) în conversia fotovoltaică. Sub conducerea academicianului A.V.Simaşchevici au fost obţinute structuri de acest tip în baza materialelor tradiţionale Si, InP, CdTe şi materialelor semiconductoare oxizi conductibile şi transparente. Pentru fabricarea celulelor solare (SC) în baza de SIS structuri nu este necesară obținerea unei joncțiuni p-n, deoarece separarea purtătorilor de sarcină, generați de radiația solară, este realizată de un câmp electric la interfața izolator-semiconductor. Cele mai bune rezultate au fost obținute în cazul depunerii straturilor subţiri de oxizi de indiu (ITO) dopaţi cu staniu pe plachete cristaline de n-Si prin metoda pulverizării pirolitice. Aceste rezultate pot fi găsite în Capitolul 14 din cartea "Solar Cells – Silicon Wafer-Based Technologies", publicată de InTech, Rijeca, Croația, în 2011.
Academicianul A.V.Simaşchevici a elaborat un tip nou de SC cu sensibilitate bilaterală. Aceste dispozitive sunt formate numai din joncțiuni izotipe. Utilizarea unor astfel de structuri elimină o parte considerabilă a problemelor de fabricare BSC tradiţionale. Un volum considerabil de cercetări în ultimii ani a fost orientat spre optimizarea parametrilor fotovoltaici ai dispozitivelor obţinute. Optimizarea a fost efectuată prin modificarea interfeţei SC şi formării pe latura din spate a joncţiunii n-n+Si. Ca urmare a acestor optimizări a fost obţinută în cazul celulei unilaterale eficienţa de 16%, iar în cazul celulelor bilaterale – eficienţa la iluminarea frontală de 13% şi, respectiv, 10% la iluminarea din spate.
Activitatea fructuoasă a academicianului A.V.Simaşchevici a fost înalt apreciată de conducerea țării conferindu-i-se următoarele distincţii: Ordinul de onoare (a.1986), Ordinul Gloria Muncii (a.1999), medalia Meritul Civic (a.1995).
Academicianului A.V.Simaşchevici deţine din 1996 titlul de Om Emerit, este laureat al Premiului de Stat în domeniul Ştiinţei şi Tehnicii, este cavaler al medaliilor academice „Dimitrie Cantemir”, „60 ani AȘM” şi „65 ani USM”.
Prezidiul Academiei de Științe a Moldovei si colectivul Institutului de Fizică Aplicată, care este onorat de a activa alături de Dvs., vă aduc cele mai sincere și calde felicitări, urări de sănătate și succese profesionale perpetue.
La Mulți Ani, Domnule Academician!
|
